El fabricante chino de memoria CXMT espera lanzar antes de fin de año su primer producto con celdas 4F², un módulo DDR5 RDIMM para servidores. Lo anunció el presidente de la compañía, Cao Kanyu, en declaraciones que recogió el medio chino Yicai. La memoria usa una disposición de celda más densa que todavía no llega al mercado, con transistores verticales que en teoría reducen la superficie de cada celda en cerca de un tercio. CXMT no anunció velocidades ni capacidades.
Cao habló del nuevo RDIMM el sábado, en la Integrated Chips and Chiplets Conference.
Qué cambia con una celda 4F²
Una celda 4F² mide 2F por 2F. A igual tamaño de proceso ocupa cerca de dos tercios del área de las celdas 6F² que se fabrican hoy, y todos los diseños conocidos lo logran poniendo el transistor de pie. CXMT ha publicado investigación y patentes sobre esta tecnología, con artículos en 2021, 2023 y 2025, y mostró un arreglo completo de investigación de 8 Gb en el congreso IEDM de 2023.
La versión de CXMT se llama Vertical Surrounded Gate (VSG). El canal del transistor queda vertical y la compuerta lo envuelve por completo, lo que da un control más firme con menos fuga de corriente. Lo que más pesa es que el transistor parado achica la celda. Según Cao, la empresa ya tiene más de 300 familias de patentes publicadas ligadas al 4F².
El reporte de Yicai agrega que la industria entera avanza hacia el 4F² con soluciones 3D que separan los procesos de DRAM y de CMOS y luego los unen con hybrid bonding a nivel de oblea. Así la densidad de la lógica y la de las celdas se optimizan por separado. Cao también repasó el trabajo propio de CXMT en hybrid bonding, que comenzó en 2019 y tiene patentes publicadas.
¿Dónde está CXMT en el mercado de DRAM?
El principal fabricante de DRAM de China ha estado en las noticias por sus avances en fabricación y en participación de mercado. Su plataforma de quinta generación, G5, anunciada el 20 de septiembre, ya está en producción masiva. TrendForce le asigna a CXMT el 9,5% de los ingresos mundiales de DRAM en el segundo trimestre, contra 7,6% en el primero, lo que la deja en el cuarto lugar. En noviembre del año pasado la compañía mostró memorias DDR5-8000 y LPDDR5X-10667.
¿Cómo van Samsung y SK hynix con el 4F²?
Samsung presentó en febrero, en su artículo para ISSCC 2026, un diseño de DRAM 4F² de 16 Gb en clase 10 nm. También usa transistores de canal vertical (VCT), con el arreglo de celdas unido sobre la periferia mediante hybrid bonding cobre a cobre de oblea a oblea. Samsung asegura que esa unión sube en más de 20% los chips por oblea con las mismas reglas de diseño.
En abril, The Elec informó que Samsung tenía un chip 4F² VCT funcionando en su proceso "10a" bajo los 10 nm, con producción masiva apuntada a 2028. Reportes surcoreanos posteriores enturbiaron esa fecha. La versión VCT se separó como "D0a-V", sin calendario, y no hay fecha firme para adoptar el 4F².
| Fabricante | Anuncio 4F² | Calendario declarado |
|---|---|---|
| CXMT | DDR5 RDIMM con transistor VSG | Fin de 2026 |
| Samsung | Diseño de 16 Gb en clase 10 nm (ISSCC 2026) | 2028 según The Elec, luego sin fecha |
| SK hynix | Plataforma de compuerta vertical (VLSI 2025) | Nodo 10b, después del 10a de Samsung |
| Micron | Sin planes reportados para 2026 | Sin fecha |
SK hynix presentó en VLSI 2025 sus planes para una plataforma 4F² de compuerta vertical y para DRAM 3D en nodos de 10 nm y menores, con los circuitos unidos bajo el arreglo de celdas. El mismo reporte de abril ubica el debut 4F² de SK hynix en el nodo 10b, un paso después del 10a de Samsung. Los planes de Micron siguen menos claros y no hay declaraciones suyas de 2026 que se hayan difundido.
Lo que CXMT no dijo
El anuncio dice tanto por lo que omite. No hay capacidad, velocidad, densidad por chip, nodo de proceso, clientes con nombre ni volumen previsto. Lo único concreto es una fecha y un diseño de celda bien respaldado por la literatura técnica, pero ningún producto probado por alguien ajeno a CXMT. Fuera de la charla de Cao, la empresa no ha publicado un comunicado sobre el producto ni en su sala de prensa en chino ni en la de inglés.
Reportes surcoreanos señalan que los primeros productos de CXMT podrían usar el 4F² solo en parte, y que fabricar unidades estables en volumen es otro desafío. A la fecha del anuncio quedaban unas 11 semanas para que termine el año.
