5 notas publicadas
La fab de Manassas cuadruplica producción DDR4 con USD 2.000 millones y CHIPS Act, en plena migración global a DDR5 y HBM que dejó al sector automotriz y defensa expuesto.
Investigadores de la Universidad de Tokio demostraron un dispositivo magnético no volátil de Mn₃Sn que cambia de estado en 40 picosegundos generando casi nada de calor.
Reportes del Korea Herald y Seoul Economic Daily confirman que Samsung entró en modo de emergencia 6 días antes del paro de 18 días. TrendForce estima 3-4% del suministro global de DRAM golpeado.
Una protesta de 40.000 trabajadores sindicalizados en Pyeongtaek amenaza con profundizar el déficit global de DRAM y NAND ya proyectado hasta 2030.
Otros temas que aparecen junto a #dram en nuestra cobertura editorial.
