Infineon Technologies fabricó los primeros dispositivos de potencia funcionales en una oblea de carburo de silicio (SiC) de 300 mm, según anunció la compañía y recogió Hackster.io el 10 de noviembre. El formato más que duplica la capacidad de producción frente a las obleas tradicionales de 200 mm.
Jochen Hanebeck, director ejecutivo de Infineon, celebró el anuncio.
"Este hito tecnológico fortalece aún más nuestro liderazgo en sistemas de potencia", dijo Hanebeck. "Felicitaciones y gracias a nuestro apasionado equipo, que logró un avance significativo en sacar el SiC de 300 milímetros del laboratorio y llevarlo a un entorno de fabricación. Liderar en semiconductores de potencia significa empujar la tecnología al siguiente nivel de forma continua. Con obleas de 300 milímetros de silicio, nitruro de galio y ahora carburo de silicio, estamos en una posición de liderazgo para escalar la fabricación de semiconductores e impulsar un crecimiento rentable".
¿Qué gana un fabricante con obleas de 300 mm?
Frente a los materiales tradicionales, el carburo de silicio mejora la eficiencia y reduce las pérdidas de energía en los dispositivos de potencia. Infineon ya los vendía fabricados en obleas de 200 mm.
Subir a 300 mm trae problemas nuevos de fabricación. A cambio, abre la puerta a más volumen y a un precio por unidad más bajo. En una sola oblea de 300 mm caben 2,3 veces más chips que en una de 200 mm.
Otras empresas persiguen la misma meta. Infineon es la primera en anunciar dispositivos de potencia que funcionan hechos en una oblea de SiC de 300 mm.
¿Cuándo llega a producción en volumen?
Es un logro temprano. Infineon dice que todavía planifica el aumento de producción en obleas de SiC de 300 mm, y que lo hará junto a clientes y socios de áreas que van desde los inversores y cargadores a bordo de vehículos hasta el almacenamiento de energía a gran escala.
La oblea con los dispositivos de potencia salió de la línea de producción de la planta de Villach, en Austria. Al mismo tiempo, Infineon anunció la prueba exitosa de su tecnología Cold Split en Dresde, Alemania.
Según la compañía, Cold Split separa las obleas del lingote (boule) de carburo de silicio con mucha menos pérdida de material que el corte tradicional con sierra de hilo. Así salen más obleas de cada lingote.
Silicio, nitruro de galio y carburo de silicio en 300 mm
Con este avance, Infineon puede producir en obleas de 300 mm de tres materiales. Carburo de silicio, nitruro de galio y silicio común.
La compañía muestra su oblea de SiC de 300 mm esta semana en electronica 2026, en Múnich. Los asistentes pueden verla en el pabellón C3, stand 502.
