
Apilar chips de lado promete más memoria y menos calor para la IA
Dos grupos de investigación mostraron en el IEEE VLSI Symposium memorias que apilan los chips de costado en vez de hacia arriba, para ganar ancho de banda sin cocinar el silicio.
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El anuncio conjunto de Samsung, SK Hynix y el gobierno de Lee Jae Myung apuesta a construir cuatro o cinco fabs de memoria en Gwangju y planes de inversion a diez anos por USD 1,4 billones.

Los kits G.Skill Trident Z5 NeoX a DDR5-6000 C26 incumplen la promesa de AMD de mantener precios similares a EXPO estándar. La diferencia se justifica por binning agresivo y tRAS hasta 67% menor.

El ASIC custom de Meta combina DDR4-2400 reciclado con DDR5-6400 en la misma máquina EPYC Turin, llevando capacidad por servidor a 1 TB. Panmnesia ofrece alternativa comercial.

Los precios de contrato del estándar de memoria que se lanzó en 2003 saltaron 55-60% en el segundo trimestre y subirían otro 35-40% en el tercero, según TrendForce.

Las gigantes coreanas y Micron priorizan datacenter para alimentar el boom de la IA, y los fabricantes chinos CXMT y YMTC ya empiezan a llenar el hueco del segmento consumer con DDR5 nacional.

El primer kit Corsair con DRAM china apareció en una variante de Vengeance DDR5-6000 CL36 en China, en medio de la escasez global que llevó a Samsung, Micron y SK Hynix a priorizar datacenter.

Investigadores de la Universidad de Tokio demostraron un dispositivo magnético no volátil de Mn₃Sn que cambia de estado en 40 picosegundos generando casi nada de calor.