Saltar al contenido
Etiqueta

#memoria

8 notas publicadas

Corea del Sur invierte USD 520 mil millones en duplicar la memoria
Electrónica

Corea del Sur invierte USD 520 mil millones en duplicar la memoria

El anuncio conjunto de Samsung, SK Hynix y el gobierno de Lee Jae Myung apuesta a construir cuatro o cinco fabs de memoria en Gwangju y planes de inversion a diez anos por USD 1,4 billones.

Electronics Weekly
AMD EXPO ULL RAM sale a USD 1.099 y cobra hasta 80% de premium
Electrónica

AMD EXPO ULL RAM sale a USD 1.099 y cobra hasta 80% de premium

Los kits G.Skill Trident Z5 NeoX a DDR5-6000 C26 incumplen la promesa de AMD de mantener precios similares a EXPO estándar. La diferencia se justifica por binning agresivo y tRAS hasta 67% menor.

Tom's Hardware
Meta reusa DDR4 viejo en servidores DDR5 con su ASIC CXL Vistara
Electrónica

Meta reusa DDR4 viejo en servidores DDR5 con su ASIC CXL Vistara

El ASIC custom de Meta combina DDR4-2400 reciclado con DDR5-6400 en la misma máquina EPYC Turin, llevando capacidad por servidor a 1 TB. Panmnesia ofrece alternativa comercial.

Tom's Hardware
DDR2 sube hasta 60% por la escasez de DRAM que mueve la IA
Electrónica

DDR2 sube hasta 60% por la escasez de DRAM que mueve la IA

Los precios de contrato del estándar de memoria que se lanzó en 2003 saltaron 55-60% en el segundo trimestre y subirían otro 35-40% en el tercero, según TrendForce.

Tom's Hardware
DDR5 chino CXMT llega a Corsair, HP y Dell por crunch de IA
Electrónica

DDR5 chino CXMT llega a Corsair, HP y Dell por crunch de IA

Las gigantes coreanas y Micron priorizan datacenter para alimentar el boom de la IA, y los fabricantes chinos CXMT y YMTC ya empiezan a llenar el hueco del segmento consumer con DDR5 nacional.

Tom's Hardware
CXMT entra a la memoria de consumo con un kit Corsair Vengeance DDR5
Electrónica

CXMT entra a la memoria de consumo con un kit Corsair Vengeance DDR5

El primer kit Corsair con DRAM china apareció en una variante de Vengeance DDR5-6000 CL36 en China, en medio de la escasez global que llevó a Samsung, Micron y SK Hynix a priorizar datacenter.

Tom's Hardware
Memoria espintrónica conmuta 1.000 veces más rápido que la DRAM
Electrónica

Memoria espintrónica conmuta 1.000 veces más rápido que la DRAM

Investigadores de la Universidad de Tokio demostraron un dispositivo magnético no volátil de Mn₃Sn que cambia de estado en 40 picosegundos generando casi nada de calor.

Tom's Hardware

Etiquetas relacionadas

Otros temas que aparecen junto a #memoria en nuestra cobertura editorial.