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La empresa de San José salió del sigilo tras siete años y asegura que su apilamiento en 3D y un material ferroeléctrico propio permiten subir la densidad usando las fábricas de chips que ya existen.
Investigadores de Penn State recubrieron ADN sintético con nanopartículas de plata y lo combinaron con películas de perovskita para fabricar un dispositivo de memoria que opera con menos de 0,1 volt.
En Hot Chips 2026 la compañía detalló una hoja de ruta de tres fases que convierte la memoria de alto ancho de banda en un subsistema con lógica y cómputo propios.
En Hot Chips 2026, la compañía admitió que la brecha se ensancha con cada generación y que no piensa cerrarla si el costo es resignar rendimiento.
La primera memoria de bajo consumo con lógica integrada multiplica por ocho el ancho de banda y rinde 3,01 veces más tokens por segundo en inferencia.
Los kits G.Skill Trident Z5 NeoX a DDR5-6000 C26 incumplen la promesa de AMD de mantener precios similares a EXPO estándar. La diferencia se justifica por binning agresivo y tRAS hasta 67% menor.
Los precios de contrato del estándar de memoria que se lanzó en 2003 saltaron 55-60% en el segundo trimestre y subirían otro 35-40% en el tercero, según TrendForce.
Las gigantes coreanas y Micron priorizan datacenter para alimentar el boom de la IA, y los fabricantes chinos CXMT y YMTC ya empiezan a llenar el hueco del segmento consumer con DDR5 nacional.
El primer kit Corsair con DRAM china apareció en una variante de Vengeance DDR5-6000 CL36 en China, en medio de la escasez global que llevó a Samsung, Micron y SK Hynix a priorizar datacenter.
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