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Los paquetes 2.5D con HBM, compute die y logic die apilados superan el kilowatt por socket. La difusión de agua por moldes epoxy y los gradientes térmicos condensan humedad en el BGA.
El anuncio conjunto de Samsung, SK Hynix y el gobierno de Lee Jae Myung apuesta a construir cuatro o cinco fabs de memoria en Gwangju y planes de inversion a diez anos por USD 1,4 billones.
El chip de unos 840 mm² (cerca del límite reticle EUV) lleva seis módulos HBM, llegó al tape-out en nueve meses y se desplegará a escala gigawatt con Microsoft desde fines de 2026.
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