
Micron arranca DRAM 1α en Virginia para amortiguar el shortage de DDR4
La fab de Manassas cuadruplica producción DDR4 con USD 2.000 millones y CHIPS Act, en plena migración global a DDR5 y HBM que dejó al sector automotriz y defensa expuesto.
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Fotos filtradas del PCB confirman 20 módulos LPDDR5X y arquitectura Xe3P de un solo chip. La elección de memoria más barata abarata producción a costa de ancho de banda muy inferior al de NVIDIA H200.

En su Taiwan Technology Symposium, TSMC proyectó un mercado de USD 1,5 billones a 2030, anunció nueve fabs nuevos en 2026 y subió la apuesta en CoWoS para soportar 20 HBM stacks por paquete en 2028.

Reportes del Korea Herald y Seoul Economic Daily confirman que Samsung entró en modo de emergencia 6 días antes del paro de 18 días. TrendForce estima 3-4% del suministro global de DRAM golpeado.

Una paralización de 18 días en las fábricas coreanas de memoria amenaza con golpear la producción global de HBM justo cuando Nvidia y AMD apuntan al techo de demanda por IA.

Las acciones subieron casi 14% y empujaron a SK hynix sobre los USD 900 mil millones tras un reporte de ZDNet Korea sobre I+D conjunto en empaquetado 2.5D.

Microsoft atribuye USD 25.000 millones de su presupuesto al alza de memoria y chips. Los precios de DRAM subieron 95% intertrimestral y la NAND ya está toda comprometida.

Una protesta de 40.000 trabajadores sindicalizados en Pyeongtaek amenaza con profundizar el déficit global de DRAM y NAND ya proyectado hasta 2030.
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