
Kyocera integra aisladores ópticos al silicio con un láser
El recocido localizado cristaliza el granate magnetoóptico sin someter el resto del chip a los 600 grados que pedía el proceso convencional.
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El sensor reúne en una sola pieza de silicio funciones que hasta ahora pedían arquitecturas distintas, y los modos se eligen por software.

Singular Photonics metió el conteo, la marca de tiempo y el histograma dentro del arreglo de píxeles, así el sensor deja de mandar cada evento crudo a un procesador externo.

Kyocera y la Universidad de Tohoku integraron un aislador óptico directamente sobre un chip de fotónica de silicio usando recocido láser, sin dañar el resto del circuito.

La industria converge en una arquitectura híbrida: silicio para el cálculo denso y luz para las interconexiones de alto ancho de banda que exige la inteligencia artificial.

La firma japonesa presentó un prototipo que opera a -271.6°C, integrando centros de vacancia de estaño en circuitos fotónicos para escalar la computación cuántica.

El proceso fabrica obleas de pocos micrones de espesor, transparentes y doblables miles de veces sin degradación medible, usando pasos de fabricación a 500 grados Celsius o menos.

La plataforma usa procesos de fabricación de semiconductores ya establecidos y abre la puerta a sensores conformables, electrónica vestible y ópticas curvas de realidad aumentada.

Científicos de la UIUC desarrollaron un láser semiconductor que sustituye la estructura repetitiva por una cuasi-periódica, permitiendo mayor control de luz.

El dispositivo combina pozos cuánticos múltiples de arseniuro de galio con una red de nanopilares, y logra una respuesta óptica no lineal tres órdenes de magnitud mayor que una oblea común.

Ante los límites físicos del cobre, Nvidia invierte 4.000 millones de dólares en óptica coempaquetada (CPO) para acelerar la transmisión de datos en sus clústeres de IA.

Un aficionado reemplazó la barra Nd:YAG de su láser de bombeo por flash con una dopada con cerio y pasó de 72,8 a 153 milijoules por pulso en el mismo montaje.

Un trabajo en Nature Physics afirma haber demostrado el estado topológico de Floquet en un semiconductor real, un fenómeno teorizado por décadas que induce conducción con pulsos de luz.
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