Raghu Sreeramaneni, Design Architecture Fellow del área de HBM en Micron, dijo el 23 de agosto ante la conferencia Hot Chips 2026 que la penalidad de silicio que arrastra la memoria de alto ancho de banda frente a la DDR5 crece con cada generación, y que no puede cerrarse sin resignar rendimiento, algo que la compañía no está dispuesta a hacer. Consultado sobre si las piezas más nuevas achican la brecha, fue directo: "definitivamente no está mejorando".
El sobrecosto actual, según Micron, ronda las tres veces el área de oblea de la DDR5 para una misma capacidad. Esa trayectoria es la razón de fondo por la que la memoria de PC tocó precios récord este año, con los contratos de DRAM convencional subiendo entre 90% y 95% trimestre contra trimestre durante el primer trimestre de 2026.
¿Por qué la HBM necesita tanto silicio?
Un die de HBM4 acomoda 256 bancos frente a los 32 de un die de DDR5, y alcanza su ancho de banda haciendo correr todos esos bancos en paralelo. Eso exige mucha más superficie para rutas de datos, distribución de energía y las vías a través del silicio (TSV) que conectan cada capa con el die base.
La aritmética queda clara al comparar caudales: un solo die de HBM3E entrega 256 GB/s, mientras que un die de DDR5 aporta cerca de 8 GB/s. Igualar una cantidad determinada de bits obliga a fabricar un die de HBM bastante más grande.
| Parámetro | HBM (HBM3E / HBM4) | DDR5 |
|---|---|---|
| Bancos por die | 256 (HBM4) | 32 |
| Ancho de banda por die | 256 GB/s | cerca de 8 GB/s |
| Área de oblea para igual capacidad | cerca de 3 veces | referencia |
| Precio por bit | cerca de 5 veces | referencia |
Sreeramaneni describió a la HBM como "probablemente la solución más compleja a nivel interfuncional que fabricamos", y precisó que en un paquete de dos GPU la memoria representa alrededor del 90% del silicio, unas ocho veces el área de los dies de la GPU. Como la HBM se vende a cerca de cinco veces el precio de la DDR5 por bit, cada oblea que un fabricante desvía hacia ella retira una porción desproporcionada de memoria de consumo del mercado.
¿Cuánto subió la memoria en doce meses?
Los precios de contrato de la DRAM convencional treparon entre 90% y 95% trimestre contra trimestre en el primer trimestre de 2026, y otro 58% a 63% en el segundo. Llevado al mostrador, un kit convencional de 32 GB DDR5-6000 se vendió este mes en torno a los 392 dólares, cuando un año antes costaba entre 110 y 140: casi el triple. Los 128 GB de DDR5 superaron los 3.399 dólares, un alza de 500% en doce meses, y en Europa los precios subieron 345% desde septiembre pasado.
El efecto ya se traslada al producto terminado. En febrero, HP informó a sus inversionistas que la DRAM representa el 35% del costo de fabricación de un PC, cuando un trimestre antes era entre 15% y 18%. Gartner proyecta que los despachos de PC caerán más de 10% en 2026. El alza se moderó a un rango de 13% a 18% en el tercer trimestre, pero no porque haya mejorado el suministro, sino porque los fabricantes de electrónica de consumo llegaron al techo de lo que podían traspasar al comprador.
El muro de memoria, cada vez más ancho
La presentación de Micron situó el escalamiento del rendimiento de cómputo en torno a tres veces cada dos años, mientras que el ancho de banda de la HBM avanza menos de dos veces en el mismo lapso. Esa divergencia implica que la distancia entre cómputo y memoria se ensancha alrededor de un 50% cada dos años, un dato que la propia compañía resumió sin rodeos por boca de Sreeramaneni.
"El muro de memoria sigue presente y, de hecho, quizás esté empeorando", afirmó.
La HBM4 duplica la interfaz con el host a 2.048 líneas de entrada y salida, y las piezas de Micron corren por sobre 11 Gb/s por pin para superar los 2,8 TB/s por pila, bastante más que los 8 Gb/s y 2 TB/s que fija el estándar HBM4 de JEDEC. Cada una de esas ganancias proviene de más paralelismo, que vuelve a agrandar el die y ensancha otra vez la proporción de silicio.
Sobre el apilamiento, el ejecutivo dijo que existe "un buen camino hacia 16 capas de DRAM", aunque "después de 16 todavía queda mucho trabajo por hacer". SK hynix, en su propia charla de Hot Chips, describió un techo de espesor total de 775 micrones que limita el apilado hasta que la industria adopte el hybrid bonding, algo que no espera antes de la HBM5. La HBM4E de Micron, prevista para cerca de 2027, lleva el die base lógico a un proceso de fundición de TSMC, parte de un giro más amplio hacia la personalización a medida que las cargas de IA se fragmentan.
Calor y confiabilidad: el otro costo oculto
El die base es el que corre más caliente, porque está en la parte inferior de la pila haciendo el trabajo de interfaz de mayor velocidad mientras el disipador queda arriba. Cada capa que se agrega entre el die base y el disipador aumenta la resistencia térmica. Sreeramaneni reconoció que Micron hoy está "diseñando soluciones alrededor de lo térmico y no al revés", una inversión respecto de lo que hacía hace algunos años.
La compañía también destacó un dato de confiabilidad que rara vez se discute: el paper de Llama 3 de Meta atribuyó el 17,2% de las interrupciones inesperadas durante una corrida de 54 días sobre 16.384 GPU H100 a la memoria HBM3, la segunda causa más frecuente detrás de las fallas de GPU. Es una carga de confiabilidad que escala con la cantidad de HBM que lleva cada paquete.
¿Cuándo se afloja el mercado?
SK hynix lidera el mercado de HBM con una participación que Counterpoint Research ubica en torno al 58%, por debajo de un máximo cercano al 69%, y Micron superó a Samsung en el segundo lugar el año pasado. Micron inició este año los despachos en volumen de HBM4 de 36 GB en configuración de 12 capas para la plataforma Vera Rubin de Nvidia, y el CEO de esa firma, Jensen Huang, dijo en junio que los tres proveedores están calificados y en producción.
Los analistas esperan que la rentabilidad por oblea de la DDR5 supere a la de la HBM3E antes de fin de año, lo que deja a los tres fabricantes con pocos incentivos para sumar capacidad de memoria de consumo cuando la DRAM de servidor paga casi lo mismo por oblea. SK hynix informó en octubre que ya tenía vendida toda su producción de 2026, y el director ejecutivo de Apacer advirtió a sus inversionistas que el suministro a fabricantes independientes de módulos podría caer al 30% de los volúmenes de 2026 durante el próximo año. El CEO de SK hynix, Kwak Noh-jung, llegó a calificar 2027 como el peor año de suministro de memoria en la historia de la industria, con una demanda que supera a la producción hasta 2030.
La respuesta de Nvidia fue subir el precio de su escritorio DGX Spark de 3.999 a 4.699 dólares y avisar a sus clientes grandes de alzas superiores al 15% en servidores de IA, ambas atribuidas a la memoria. Realistamente, la presión solo cede bajo tres condiciones, y ninguna parece probable antes de que entre en operación capacidad nueva de fabricación: que CXMT en China escale DDR5 competitiva en volumen, que el hybrid bonding llegue antes de la HBM5, algo que SK hynix prácticamente descartó, o que la rentabilidad de la DDR5 vuelva a caer por debajo de la HBM.
