Electrónica
imec, ASML y TSMC logran nFET y pFET 2D a 50 nm CPP en oblea 300 mm
El trío demostró transistores con canales de MoS2, WS2 y WSe2 a paso de poly contactado de 50 nm con litografía EUV, un puente concreto entre el laboratorio y la fab para reemplazar el silicio.
Electronics Weekly