Las tres fundiciones de vanguardia que dominan el planeta, Intel Foundry, Samsung Foundry y TSMC, ya iniciaron la producción masiva de chips con tecnología de proceso 2nm. Samsung fue la primera, con su nodo SF2 a mediados de 2025 (aunque algunos lo consideran un rebranding de SF3P). Intel siguió con 18A en noviembre, primero en líneas de desarrollo en Oregón y no en las líneas productivas de Arizona. TSMC inició la fabricación de alto volumen con su proceso N2 en diciembre sobre dos fábricas en Taiwán al mismo tiempo, algo poco habitual en la industria.

El esfuerzo de capital, conocimiento y experiencia para sostener un nodo de vanguardia es tan alto que solo estas tres empresas pueden hacerlo. Aspirantes como Rapidus todavía no han demostrado viabilidad. Las tres están dejando atrás el escalado tradicional por un enfoque segmentado, orientado a arquitectura y producto, pero con prioridades muy distintas.

¿Por qué Intel toma la ruta más agresiva?

Intel persigue la hoja de ruta más ambiciosa y, según Tom's Hardware, también la más volátil. Su apuesta combina transistores gate-all-around RibbonFET con la entrega de energía por la cara trasera PowerVia BSPDN y un avance temprano hacia la litografía High-NA EUV entre 2027 y 2028, años antes que sus rivales.

El nodo 18A, ya en producción de alto volumen desde el segundo semestre de 2025, debería devolver a las fábricas internas la producción de CPUs de consumo y mejorar los márgenes. Sobre él, Intel prepara la variante 18A-P (con 10% más de performance por watt y mayor eficiencia) y 18A-PT, que añade through-silicon vias para integración 3D.

La siguiente generación, 14A, apunta a 2027-2028 y debutará con la segunda generación de RibbonFET, el sistema PowerDirect de backside power y Turbo Cells para acelerar los caminos críticos. Será el primer nodo de Intel con High-NA EUV, en al menos algunas variantes. La compañía dice que el interés externo en 14A es "significativo": el proyecto Terafab de Elon Musk lo usará como licenciatario, aunque no como cliente directo. Una variante refinada, 14A-E, promete reducir el consumo entre 25% y 35% y subir el rendimiento entre 15% y 20% frente a 14A, según las cifras propias de Intel.

El historial reciente, sin embargo, pesa. La cancelación abrupta del nodo 20A a fines de 2024 dejó en claro los riesgos de ejecución de una hoja de ruta tan agresiva.

¿Cómo se compara la cadencia de TSMC?

TSMC se mantiene como la fundición más estructurada y ejecutiva del trío. Inició la producción del proceso N2 simultáneamente en dos fábricas en Taiwán para atender a Apple en smartphones y a AMD con los EPYC Venice de servidor. Hacia adelante, su roadmap se divide en dos pistas paralelas: nodos con backside power delivery para computación de alto rendimiento, y nodos sin BSPDN optimizados por densidad y costo.

En 2027 entran tres derivados de N2: N2P (8-10% más performance), N2X (orientado a HPC, 10% más performance) y N2U (densidad lógica 2-3% mayor). Luego viene A16 con backside power delivery (1.07x-1.10x más denso que N2P) y, en 2028, A14 como nodo para smartphones, que reaparecerá en 2029 con BSPDN para centros de datos. A13 (2029) promete 25-30% menos consumo y 1.2x más densidad de chip que A14.

A esto se suman los nodos mainstream N4C, N3C y eventualmente N2C para aplicaciones sensibles al costo, además de los nodos automotrices N7A, N5A y N3A, que retrasan dos generaciones la entrada para priorizar fiabilidad. La cadencia anual y la segmentación amplia consolidan a TSMC como la fundición más predecible para clientes exigentes como Apple, AMD, Nvidia o Qualcomm.

¿Y Samsung?

Samsung llegó primero con GAA en 2022 (SF3E) pero los rendimientos pobres limitaron la adopción a aplicaciones de nicho como ASICs de minería. Hoy sus chips de mejor desempeño siguen saliendo con FinFET sobre SF4P y SF4X, lo que la deja por detrás de Intel y TSMC.

La prioridad declarada para 2026 es bajar la densidad de defectos y estabilizar los rendimientos. El plan oficial empuja SF2P (segunda generación 2nm GAA) y prepara una variante de bajo consumo de 4nm como caballo de batalla, lo que sugiere adopción limitada de SF2. La hoja de ruta también lista SF2X para 2026 (HPC), SF2A para automotor en 2027 y SF2Z como SF2X con BSPDN en 2027.

El siguiente gran salto será SF1.4, un proceso 1.4nm orientado a consumo y smartphones, sin backside power delivery. Samsung lo coloca por encima de las familias SF3 y SF2 en sus diapositivas y planea producción masiva en 2027, lo que en teoría le permitiría adelantarse a Intel y TSMC en la etiqueta 1.4nm. La gran incógnita es si finalmente adoptará pellicles con sus herramientas EUV: sin ellos, los defectos estocásticos provenientes de la máscara, que ya pesan mucho a 2nm, empeoran a nodos más finos.

Futuros fracturados

El resumen del análisis de Tom's Hardware es claro. TSMC apuesta a disciplina de ejecución y segmentación. Intel lidera en ambición arquitectónica pero reconoce que sus rendimientos solo alcanzarán nivel de clase mundial en 2027, lo que vuelve a 18A menos atractivo para clientes exigentes hoy. Samsung se ubica en el medio, con catálogo amplio pero arrastrando el problema de los rendimientos GAA.

Para América Latina la lectura es indirecta pero concreta: cada producto que se vende en MercadoLibre o llega a un distribuidor local en Chile pasa por una de estas tres fábricas. La cadencia 2027-2029 define qué precios y disponibilidad veremos en GPUs de IA, smartphones premium y procesadores servidor en los próximos tres años.